На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | CNY17F-1M | CNY17F-1S | CNY17F-1S-TA | CNY17F-1S-TA1 | |
|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный |
Входной ток | Iin | <60 мА | |||
Выходное напряжение | Uout | <70 В | |||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP (300 mil), 6-DIP | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD |
Каналов | Каналов | 1 | |||
Производитель | Производитель | Vishay/Semiconductors | |||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <5.3 кВRMS | |||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | |||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | |||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <50 мА | |||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor | |||
Current Transfer Ratio | K | >13 %1mA | |||