На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | CNY174M | CNY174S | CNY174SD | CNY174SM | CNY174SR2M | CNY174SR2VM | CNY174SVM | CNY174TM | CNY174TVM | CNY174VM | CNY174W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | В отверстия | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | <100 мА | <100 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <60 мА | <100 мА |
Выходное напряжение | Uout | <70 В | ||||||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | ||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | ||||||||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <7.5 кВRMS | <5.3 кВRMS | <5.3 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <5.3 кВRMS |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <400 мВ | <300 мВ | <300 мВ | <400 мВ | <400 мВ | <400 мВ | <400 мВ | <400 мВ | <400 мВ | <400 мВ | <400 мВ |
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | ||||||||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <50 мА | ||||||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor with Base | ||||||||||
Current Transfer Ratio | K | >160 %10mA | ||||||||||