CNY172FM

CNY172, CNY172FM, CNY172FR2M, CNY172FR2VM, CNY172FVM, CNY172M, CNY172S, CNY172SD, CNY172SM, CNY172SR2M, CNY172SR2VM, CNY172SVM, CNY172TM, CNY172TVM, CNY172VM, CNY172W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрCNY172FMCNY172FR2MCNY172FR2VMCNY172FVMCNY172MCNY172SCNY172SDCNY172SMCNY172SR2MCNY172SR2VMCNY172SVMCNY172TMCNY172TVMCNY172VMCNY172W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<60 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА
Выходное напряжение
Uout
<70 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP Wide
Каналов
Каналов
11111111111111
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<300 мВ<300 мВ<400 мВ<300 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<300 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<50 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>63 %10mA