CNY171FM

CNY171, CNY171FM, CNY171FR2M, CNY171FR2VM, CNY171FVM, CNY171M, CNY171S, CNY171SD, CNY171SM, CNY171SR2M, CNY171SR2VM, CNY171SVM, CNY171TM, CNY171TVM, CNY171VM, CNY171W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрCNY171FMCNY171FR2MCNY171FR2VMCNY171FVMCNY171MCNY171SCNY171SDCNY171SMCNY171SR2MCNY171SR2VMCNY171SVMCNY171TMCNY171TVMCNY171VMCNY171W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА
Выходное напряжение
Uout
<70 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP Wide
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<300 мВ<300 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<400 мВ<300 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<50 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>40 %10mA