CNY17-3

CNY17-3, CNY17-3-000E, CNY17-3-060E, CNY17-3-300E, CNY17-3-360E, CNY17-3-500E, CNY17-3-560E, CNY17-3-W00E, CNY17-3-W60E, CNY17-3S, CNY17-3S-TA, CNY17-3S-TA1

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрCNY17-3-000ECNY17-3-060ECNY17-3-300ECNY17-3-360ECNY17-3-500ECNY17-3-560ECNY17-3-W00ECNY17-3-W60ECNY17-3SCNY17-3S-TACNY17-3S-TA1
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностный
Входной ток
Iin
<60 мА
Выходное напряжение
Uout
<70 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP, 6-DIP (300 mil)6-DIP, 6-DIP (300 mil)6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-DIP (400 mil)6-DIP, 6-DIP (400 mil)6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Lite-On IncLite-On IncLite-On Inc
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<5 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<150 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>100 %10mA