На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 4N38(SHORT,F) | 4N38(SHORT) | 4N38M | 4N38S | 4N38SD | 4N38SR2M | 4N38W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | ||||||
Выходное напряжение | Uout | <80 В | ||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP (300 mil), 6-DIP | 6-DIP (300 mil), 6-DIP | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD | 6-DIP (300 mil), 6-SMD (Wide) | 6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | ||||||
Производитель | Производитель | Toshiba | Toshiba | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou |
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <2.5 кВRMS | <2.5 кВRMS | <5.3 кВRMS | <5.3 кВRMS | <5.3 кВRMS | <5.3 кВRMS | <5.3 кВRMS |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 В | ||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | ||||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <50 мА | ||||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Transistor with Base | ||||||
Current Transfer Ratio | K | >10 %10mA | >10 %10mA | >20 %2mA | >20 %2mA | >20 %2mA | >20 %2mA | >20 %2mA |