4N35-060E

4N35, 4N35-000E, 4N35-060E, 4N35-300E, 4N35-360E, 4N35-500E, 4N35-560E, 4N35FM, 4N35FR2M, 4N35FR2VM, 4N35FVM, 4N35M, 4N35M_F132, 4N35S, 4N35SD, 4N35(SHORT), 4N35(SHORT,F), 4N35SM, 4N35SR2M, 4N35SR2VM, 4N35S-TA, 4N35S-TA1, 4N35SVM, 4N35TM, 4N35TVM, 4N35VM, 4N35W, 4N35-W00E, 4N35-W60E

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр4N35-000E4N35-060E4N35-300E4N35-360E4N35-500E4N35-560E4N35FM4N35FR2M4N35FR2VM4N35FVM4N35M4N35M_F1324N35S4N35SD4N35(SHORT)4N35(SHORT,F)4N35SM4N35SR2M4N35SR2VM4N35S-TA4N35S-TA14N35SVM4N35TM4N35TVM4N35VM4N35W4N35-W00E4N35-W60E
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<60 мА<60 мА
Выходное напряжение
Uout
<30 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP, 6-DIP (300 mil)6-DIP, 6-DIP (300 mil)6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Fairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouToshibaToshibaFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouAvago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<3.55 кВRMS<3.55 кВRMS<3.55 кВRMS<3.55 кВRMS<3.55 кВRMS<3.55 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<3.55 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<3.55 кВRMS<3.55 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<3.55 кВRMS<3.55 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<10 мА<10 мА<10 мА<10 мА<10 мА<10 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<10 мА<10 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>40 %10mA>40 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA>100 %10mA