На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 4N33M | 4N33S | 4N33SD | 4N33(SHORT) | 4N33(SHORT,F) | 4N33SM | 4N33SR2M | 4N33TVM | 4N33VM | 4N33W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | В отверстия |
Входной ток | Iin | <60 мА | |||||||||
Выходное напряжение | Uout | <30 В | |||||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | |||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Toshiba | Toshiba | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou |
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <1.5 кВRMS | <5.3 кВRMS | <5.3 кВRMS | <2.5 кВRMS | <2.5 кВRMS | <1.5 кВRMS | <1.5 кВRMS | <1.5 кВRMS | <1.5 кВRMS | <5.3 кВRMS |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 В | |||||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | |||||||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <150 мА | <150 мА | <150 мА | <100 мА | <100 мА | <150 мА | <150 мА | <150 мА | <150 мА | <150 мА |
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Darlington with Base | |||||||||
Current Transfer Ratio | K | >500 %10mA | |||||||||