4N32(SHORT)

4N32, 4N32M, 4N32S, 4N32SD, 4N32(SHORT), 4N32(SHORT,F), 4N32SM, 4N32SR2M, 4N32SVM, 4N32TVM, 4N32VM, 4N32W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр4N32M4N32S4N32SD4N32(SHORT)4N32(SHORT,F)4N32SM4N32SR2M4N32SVM4N32TVM4N32VM4N32W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<60 мА
Выходное напряжение
Uout
<30 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-SMD6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP6-DIP (300 mil), 6-DIP Wide
Каналов
Каналов
1
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouToshibaToshibaFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<2.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВDC<2.5 кВDC<2.5 кВDC<2.5 кВDC<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1 В
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<150 мА<150 мА<150 мА<100 мА<100 мА<150 мА<150 мА<150 мА<150 мА<150 мА<150 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Darlington with Base
Current Transfer Ratio
K
>500 %10mA