На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 4N30M | 4N30S | 4N30SD | 4N30SM | 4N30SR2M | 4N30W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия |
Выходное напряжение | Uout | <30 В | |||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | |||||
Производитель | Производитель | Fairchild Optoelectronics Grou | |||||
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <7.5 кВRMS | <5.3 кВRMS | <5.3 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <5.3 кВRMS |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 В | |||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | |||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <150 мА | |||||
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Darlington with Base | Darlington with Base | Darlington with Base | Darlington with Base | Transistor with Base | Darlington with Base |
Current Transfer Ratio | K | >100 %10mA | |||||