На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 4N29A(SHORT) | 4N29A(SHORT,F) | 4N29M | 4N29S | 4N29SD | 4N29(SHORT) | 4N29(SHORT,F) | 4N29SM | 4N29SR2M | 4N29TM | 4N29W | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия | Поверхностный | Поверхностный | В отверстия | В отверстия |
Выходное напряжение | Uout | <30 В | ||||||||||
Корпус микросхемы | Корпус | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-SMD | 6-DIP, 6-DIP | 6-DIP, 6-DIP Wide |
Каналов | Каналов | 1 | ||||||||||
Производитель | Производитель | Toshiba | Toshiba | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Toshiba | Toshiba | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou | Fairchild Optoelectronics Grou |
Допустимое напряжение изоляции | UINS | <2.5 кВRMS | <2.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <5.3 кВRMS | <5.3 кВRMS | <2.5 кВRMS | <2.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <7.5 кВRMS | <5.3 кВRMS |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1 В | ||||||||||
Тип входа оптопары | Тип входа | DC | ||||||||||
Выходной ток на канал | IOUT/CH | <100 мА | <100 мА | <150 мА | <150 мА | <150 мА | <100 мА | <100 мА | <150 мА | <150 мА | <150 мА | <150 мА |
Тип выхода транзисторной оптопары | Тип выхода | Darlington with Base | ||||||||||
Current Transfer Ratio | K | >500 %10mA | >500 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >500 %10mA | >500 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA | >100 %10mA |