4N26(SHORT)

4N26, 4N26FM, 4N26FR2M, 4N26FR2VM, 4N26FVM, 4N26M, 4N26M_F132, 4N26S, 4N26SD, 4N26(SHORT), 4N26(SHORT,F), 4N26SM, 4N26SR2M, 4N26SR2VM, 4N26S-TA, 4N26S-TA1, 4N26SVM, 4N26TM, 4N26TVM, 4N26VM, 4N26W

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр4N26FM4N26FR2M4N26FR2VM4N26FVM4N26M4N26M_F1324N26S4N26SD4N26(SHORT)4N26(SHORT,F)4N26SM4N26SR2M4N26SR2VM4N26S-TA4N26S-TA14N26SVM4N26TM4N26TVM4N26VM4N26W
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<60 мА<100 мА<60 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА
Выходное напряжение
Uout
<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<70 В<70 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-DIP Wide6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP Wide
Каналов
Каналов
1111111111111111111
Производитель
Производитель
Fairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouToshibaToshibaFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics Grou
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<1.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<5.3 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<7.5 кВRMS<1.5 кВRMS<7.5 кВRMS<1.5 кВRMS<1.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<100 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>20 %10mA