4N25-060E

4N25, 4N25-000E, 4N25-060E, 4N25-300E, 4N25-360E, 4N25-500E, 4N25-560E, 4N25A(SHORT), 4N25A(SHORT,F), 4N25FM, 4N25FR2M, 4N25FR2VM, 4N25FVM, 4N25M, 4N25S, 4N25SD, 4N25(SHORT), 4N25(SHORT,F), 4N25SHORT(TP1,F), 4N25SM, 4N25SR2M, 4N25SR2VM, 4N25S-TA, 4N25S-TA1, 4N25SVM, 4N25TM, 4N25TVM, 4N25VM, 4N25W, 4N25-W00E, 4N25-W60E

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр4N25-000E4N25-060E4N25-300E4N25-360E4N25-500E4N25-560E4N25A(SHORT)4N25A(SHORT,F)4N25FM4N25FR2M4N25FR2VM4N25FVM4N25M4N25S4N25SD4N25(SHORT)4N25(SHORT,F)4N25SHORT(TP1,F)4N25SM4N25SR2M4N25SR2VM4N25S-TA4N25S-TA14N25SVM4N25TM4N25TVM4N25VM4N25W4N25-W00E4N25-W60E
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Входной ток
Iin
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<60 мА<100 мА<60 мА<100 мА<100 мА<60 мА<60 мА<60 мА<60 мА<100 мА<100 мА<100 мА
Выходное напряжение
Uout
<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<70 В<70 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<70 В<70 В<70 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В<30 В
Корпус микросхемы
Корпус
6-DIP, 6-DIP (300 mil)6-DIP, 6-DIP (300 mil)6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-SMD Gull Wing6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-SMD6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP6-DIP, 6-DIP (400 mil)6-DIP, 6-DIP (400 mil)
Каналов
Каналов
11111111111111111111111111111
Производитель
Производитель
Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.ToshibaToshibaFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouToshibaToshibaToshibaFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouLite-On IncLite-On IncFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouFairchild Optoelectronics GrouAvago Technologies US Inc.Avago Technologies US Inc.
Допустимое напряжение изоляции
UINS
<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<5.3 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<7.5 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<7.5 кВRMS<5.3 кВRMS<2.5 кВRMS<2.5 кВRMS
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВ
Тип входа оптопары
Тип входа
DC
Выходной ток на канал
IOUT/CH
<100 мА
Тип выхода транзисторной оптопары
Тип выхода
Transistor with Base
Current Transfer Ratio
K
>20 %10mA