На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | T435-800B-TR | T435-800H | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
Производитель | Производитель | STMicroelectronics | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | В отверстия |
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |
Repetitive peak off-state voltage | V | <800 В | |
Напряжение отпирания | VGT | <1.3 В | |
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии | IT(RMS) | <4 А | |
Ток отпирания | IGT | 35 мА | |
Ток удержания | IH | <35 мА | |
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц) | ITSM/50Hz | <30 А | |
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <31 А | |
Тип симистора | Тип | Alternistor - Snubberless | |
Серия симистора | Серия | Snubberless™ | |