T1050H-6G

T1050H-6, T1050H-6G, T1050H-6G-TR, T1050H-6I, T1050H-6T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрT1050H-6GT1050H-6G-TRT1050H-6IT1050H-6T
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220ABTO-220AB
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
ПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстия
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<600 В
Напряжение отпирания
VGT
<1 В
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии
IT(RMS)
<10 А
Ток отпирания
IGT
50 мА
Ток удержания
IH
<75 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<100 А
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<105 А
Тип симистора
Тип
Alternistor - Snubberless
Серия симистора
Серия
Snubberless™