BT139-800

BT139-800, BT139-800,127, BT139-800E,127, BT139-800G,127

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBT139-800,127BT139-800E,127BT139-800G,127
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220AB-3
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<800 В
Напряжение отпирания
VGT
<1.5 В
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии
IT(RMS)
<16 А
Ток отпирания
IGT
35 мА10 мА50 мА
Ток удержания
IH
<45 мА<45 мА<60 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<155 А
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<170 А
Тип симистора
Тип
СтандартLogic - Sensitive GateСтандарт