BT136S-600,118

BT136S-600, BT136S-600,118, BT136S-600D,118, BT136S-600E,118, BT136S-600F,118

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBT136S-600,118BT136S-600D,118BT136S-600E,118BT136S-600F,118
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Количество однотипных элементов в корпусе
Элементов
1
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<600 В
Напряжение отпирания
VGT
<1.5 В
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии
IT(RMS)
<4 А
Ток отпирания
IGT
35 мА5 мА10 мА25 мА
Ток удержания
IH
<15 мА<10 мА<15 мА<15 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<25 А
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<27 А
Тип симистора
Тип
СтандартLogic - Sensitive GateLogic - Sensitive GateСтандарт