На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Параметр | BT131-800,116 | BT131-800D,112 | BT131-800D,116 | BT131-800D,412 | BT131-800E,412 | |
---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | ||||
Repetitive peak off-state voltage | V | <800 В | ||||
Напряжение отпирания | VGT | <1.5 В | ||||
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии | IT(RMS) | <1 А | ||||
Ток отпирания | IGT | 3 мА | 3 мА | 3 мА | 5 мА | 10 мА |
Ток удержания | IH | <5 мА | <5 мА | <5 мА | <10 мА | <10 мА |
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц) | ITSM/50Hz | <12.5 А | ||||
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <13.8 А | <13.8 А | <13.8 А | <13.7 А | <13.7 А |
Тип симистора | Тип | Logic - Sensitive Gate |