На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
Параметр | 2N6075A | 2N6075AG | 2N6075B | 2N6075BG | |
---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-225-3 | |||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 1 | |||
Repetitive peak off-state voltage | V | <600 В | |||
Напряжение отпирания | VGT | <2.5 В | |||
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии | IT(RMS) | <4 А | |||
Ток отпирания | IGT | 5 мА | 5 мА | 3 мА | 3 мА |
Ток удержания | IH | <15 мА | |||
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <30 А | |||
Тип симистора | Тип | Logic - Sensitive Gate |