На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | IRKHF200-04DP | IRKHF200-04HJ | IRKHF200-04HK | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | MAGN-A-PAK (3 + 2) | ||
Производитель | Производитель | Vishay/Semiconductors | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | ||
Repetitive peak off-state voltage | V | <400 В | ||
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса | IT(AV) | <200 А | ||
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии | IT(RMS) | <444 А | ||
Ток отпирания | IGT | <200 мА | ||
Ток удержания | IH | <600 мА | ||
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц) | ITSM/50Hz | <7.6 кА | ||
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <8 кА | ||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 2 | ||
Конфигурация тринисторной сборки | Конфигурация | 1 SCR, 1 Diode | ||