На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | B511-2 | B511-2T | B511F-2 | B511F-2T | B511FSE-2T | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | Module with Isolation Barriers | Модуль | Module with Isolation Barriers | Модуль | Модуль |
Производитель | Производитель | Crydom Co. | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | ||||
Repetitive peak off-state voltage | V | <400 В | ||||
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии | IT(RMS) | <25 А | ||||
Ток отпирания | IGT | <60 мА | ||||
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <250 А | ||||
Количество однотипных элементов в корпусе | Элементов | 4 | ||||
Конфигурация тринисторной сборки | Конфигурация | Bridge, Single Phase - 2 SCRs, 2 Diodes | ||||