TN1625-1000G-TR

TN1625-1000, TN1625-1000G-TR

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрTN1625-1000G-TR
Корпус микросхемы
Корпус
D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Производитель
Производитель
STMicroelectronics
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<1 кВ
Напряжение отпирания
VGT
<1.3 В
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса
IT(AV)
<10 А
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии
IT(RMS)
<16 А
Ток отпирания
IGT
<25 мА
Ток удержания
IH
<40 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<190 А
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<200 А
Тип тиристора
Тип
Standard Recovery