ST303S12

ST303S12, ST303S12PFJ0, ST303S12PFK0

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрST303S12PFJ0ST303S12PFK0
Корпус микросхемы
Корпус
TO-209AE, TO-118TO-209AE (TO-118)
Производитель
Производитель
Vishay/Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Stud Mount
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<1.2 кВ
Напряжение отпирания
VGT
<3 В
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса
IT(AV)
<300 А
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии
IT(RMS)
<471 А
Ток отпирания
IGT
<200 мА
Ток удержания
IH
<600 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<7.95 кА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<8.32 кА
Тип тиристора
Тип
Standard Recovery