S2010V

S2010V, S2010VS2, S2010VS2TP, S2010VS3, S2010VS3TP, S2010VTP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрS2010VS2S2010VS2TPS2010VS3S2010VS3TPS2010VTP
Корпус микросхемы
Корпус
IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)
Производитель
Производитель
Littelfuse / Teccor Brand Thyr
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<200 В
Напряжение отпирания
VGT
<800 мВ<800 мВ<800 мВ<800 мВ<1.5 В
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса
IT(AV)
<6.4 А
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии
IT(RMS)
<10 А
Ток отпирания
IGT
<200 мкА<200 мкА<500 мкА<500 мкА<15 мА
Ток удержания
IH
<6 мА<6 мА<8 мА<8 мА<30 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<83 А
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<100 А
Тип тиристора
Тип
Sensitive GateSensitive GateSensitive GateSensitive GateStandard Recovery