S2010DRP

S2010D, S2010DRP, S2010DS2RP, S2010DS2TP, S2010DS3RP, S2010DS3TP, S2010DTP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрS2010DRPS2010DS2RPS2010DS2TPS2010DS3RPS2010DS3TPS2010DTP
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Littelfuse / Teccor Brand Thyr
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<200 В
Напряжение отпирания
VGT
<1.5 В<800 мВ<800 мВ<800 мВ<800 мВ<1.5 В
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса
IT(AV)
<6.4 А
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии
IT(RMS)
<10 А
Ток отпирания
IGT
<15 мА<200 мкА<200 мкА<500 мкА<500 мкА<15 мА
Ток удержания
IH
<30 мА<6 мА<6 мА<8 мА<8 мА<30 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<83 А
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<100 А
Тип тиристора
Тип
Standard RecoverySensitive GateSensitive GateSensitive GateSensitive GateStandard Recovery