S2008D

S2008D, S2008DRP, S2008DS2RP, S2008DS2TP, S2008DS3RP, S2008DS3TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрS2008DRPS2008DS2RPS2008DS2TPS2008DS3RPS2008DS3TP
Корпус микросхемы
Корпус
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Производитель
Производитель
Littelfuse / Teccor Brand Thyr
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<200 В
Напряжение отпирания
VGT
<1.5 В<800 мВ<800 мВ<800 мВ<800 мВ
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса
IT(AV)
<5.1 А
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии
IT(RMS)
<8 А
Ток отпирания
IGT
<15 мА<200 мкА<200 мкА<500 мкА<500 мкА
Ток удержания
IH
<30 мА<6 мА<6 мА<8 мА<8 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<60 А<83 А<83 А<83 А<83 А
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<100 А
Тип тиристора
Тип
Standard RecoverySensitive GateSensitive GateSensitive GateSensitive Gate