На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | NYC0102BLT1G | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
Производитель | Производитель | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный |
Repetitive peak off-state voltage | V | <200 В |
Напряжение отпирания | VGT | <800 мВ |
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии | IT(RMS) | <250 мА |
Ток отпирания | IGT | <200 мкА |
Ток удержания | IH | <6 мА |
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <7 А |
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate |