MCR8DCMT4

MCR8, MCR8DCMT4, MCR8DCMT4G, MCR8DCNT4, MCR8DCNT4G, MCR8DSMT4, MCR8DSMT4G, MCR8DSNT4, MCR8DSNT4G, MCR8N, MCR8NG, MCR8SD, MCR8SDG, MCR8SM, MCR8SMG, MCR8SN, MCR8SNG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		MCR8DCMT4	MCR8DCMT4G	MCR8DCNT4	MCR8DCNT4G	MCR8DSMT4	MCR8DSMT4G	MCR8DSNT4	MCR8DSNT4G	MCR8N	MCR8NG	MCR8SD	MCR8SDG	MCR8SM	MCR8SMG	MCR8SN	MCR8SNG
Корпус микросхемы	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель	Производитель	ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия
Repetitive peak off-state voltage	VDRM/VRRM	<600 В	<600 В	<800 В	<800 В	<600 В	<600 В	<800 В	<800 В	<800 В	<800 В	<400 В	<400 В	<600 В	<600 В	<800 В	<800 В
Напряжение отпирания	VGT	<1 В
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса	IT(AV)	<5.1 А	<5.1 А	<5.1 А	<5.1 А	<5.1 А	<5.1 А	<5.1 А	<5.1 А	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии	IT(RMS)	<8 А
Ток отпирания	IGT	<15 мА	<15 мА	<15 мА	<15 мА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<15 мА	<15 мА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА
Ток удержания	IH	<30 мА	<30 мА	<30 мА	<30 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<30 мА	<30 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)	I_TSM/60Hz	<80 А	<80 А	<80 А	<80 А	<90 А	<90 А	<90 А	<90 А	<80 А	<80 А	<80 А	<80 А	<80 А	<80 А	<80 А	<80 А
Тип тиристора	Тип	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Standard Recovery	Standard Recovery	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate