MCR12DCMT4

MCR12, MCR12D, MCR12DCMT4, MCR12DCMT4G, MCR12DCNT4, MCR12DCNT4G, MCR12DG, MCR12DSMT4, MCR12DSMT4G, MCR12DSN-001, MCR12DSN-1G, MCR12DSNT4, MCR12DSNT4G, MCR12LD, MCR12LDG, MCR12LM, MCR12LMG, MCR12LNG, MCR12M, MCR12MG, MCR12N, MCR12NG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		MCR12D	MCR12DCMT4	MCR12DCMT4G	MCR12DCNT4	MCR12DCNT4G	MCR12DG	MCR12DSMT4	MCR12DSMT4G	MCR12DSN-001	MCR12DSN-1G	MCR12DSNT4	MCR12DSNT4G	MCR12LD	MCR12LDG	MCR12LM	MCR12LMG	MCR12LNG	MCR12M	MCR12MG	MCR12N	MCR12NG
Корпус микросхемы	Корпус	TO-220-3 (Straight Leads)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	TO-220-3 (Straight Leads)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель	Производитель	ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	В отверстия	Поверхностный	Поверхностный	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия	В отверстия
Repetitive peak off-state voltage	VDRM/VRRM	<400 В	<600 В	<600 В	<800 В	<800 В	<400 В	<600 В	<600 В	<800 В	<800 В	<800 В	<800 В	<400 В	<400 В	<600 В	<600 В	<800 В	<600 В	<600 В	<800 В	<800 В
Напряжение отпирания	VGT	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В	<800 мВ	<800 мВ	<800 мВ	<800 мВ	<800 мВ	<1 В	<1 В	<1 В	<1 В
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса	IT(AV)	(не задано)	<7.8 А	<7.8 А	<7.8 А	<7.8 А	(не задано)	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	<7.6 А	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии	IT(RMS)	<12 А
Ток отпирания	IGT	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<200 мкА	<8 мА	<8 мА	<8 мА	<8 мА	<8 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА
Ток удержания	IH	<40 мА	<40 мА	<40 мА	<40 мА	<40 мА	<40 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<6 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<20 мА	<40 мА	<40 мА	<40 мА	<40 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)	I_TSM/60Hz	<100 А
Тип тиристора	Тип	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Sensitive Gate	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery	Standard Recovery