MCR12D

MCR12, MCR12D, MCR12DCMT4, MCR12DCMT4G, MCR12DCNT4, MCR12DCNT4G, MCR12DG, MCR12DSMT4, MCR12DSMT4G, MCR12DSN-001, MCR12DSN-1G, MCR12DSNT4, MCR12DSNT4G, MCR12LD, MCR12LDG, MCR12LM, MCR12LMG, MCR12LNG, MCR12M, MCR12MG, MCR12N, MCR12NG

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMCR12DMCR12DCMT4MCR12DCMT4GMCR12DCNT4MCR12DCNT4GMCR12DGMCR12DSMT4MCR12DSMT4GMCR12DSN-001MCR12DSN-1GMCR12DSNT4MCR12DSNT4GMCR12LDMCR12LDGMCR12LMMCR12LMGMCR12LNGMCR12MMCR12MGMCR12NMCR12NG
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63TO-220-3 (Straight Leads)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads)
Производитель
Производитель
ON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<400 В<600 В<600 В<800 В<800 В<400 В<600 В<600 В<800 В<800 В<800 В<800 В<400 В<400 В<600 В<600 В<800 В<600 В<600 В<800 В<800 В
Напряжение отпирания
VGT
<1 В<1 В<1 В<1 В<1 В<1 В<1 В<1 В<1 В<1 В<1 В<1 В<800 мВ<800 мВ<800 мВ<800 мВ<800 мВ<1 В<1 В<1 В<1 В
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса
IT(AV)
(не задано)<7.8 А<7.8 А<7.8 А<7.8 А(не задано)<7.6 А<7.6 А<7.6 А<7.6 А<7.6 А<7.6 А<7.6 А<7.6 А<7.6 А<7.6 А<7.6 А(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии
IT(RMS)
<12 А
Ток отпирания
IGT
<20 мА<20 мА<20 мА<20 мА<20 мА<20 мА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<8 мА<8 мА<8 мА<8 мА<8 мА<20 мА<20 мА<20 мА<20 мА
Ток удержания
IH
<40 мА<40 мА<40 мА<40 мА<40 мА<40 мА<6 мА<6 мА<6 мА<6 мА<6 мА<6 мА<20 мА<20 мА<20 мА<20 мА<20 мА<40 мА<40 мА<40 мА<40 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<100 А
Тип тиристора
Тип
Standard RecoveryStandard RecoveryStandard RecoveryStandard RecoveryStandard RecoveryStandard RecoverySensitive GateSensitive GateSensitive GateSensitive GateSensitive GateSensitive GateStandard RecoveryStandard RecoveryStandard RecoveryStandard RecoveryStandard RecoveryStandard RecoveryStandard RecoveryStandard RecoveryStandard Recovery