На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MCR08BT1 | MCR08BT1,115 | MCR08BT1G | MCR08MT1 | MCR08MT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Repetitive peak off-state voltage | V | <200 В | <200 В | <200 В | <600 В | <600 В |
Напряжение отпирания | VGT | <800 мВ | ||||
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса | IT(AV) | (не задано) | <500 мА | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии | IT(RMS) | <800 мА | ||||
Ток отпирания | IGT | <200 мкА | ||||
Ток удержания | IH | <5 мА | ||||
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц) | ITSM/50Hz | (не задано) | <8 А | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <8 А | <9 А | <8 А | <8 А | <8 А |
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate | ||||