На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | C106B | C106BG | C106D | C106D1 | C106D1G | C106DG | C106M | C106M1 | C106M1G | C106MG | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-225-3 | |||||||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | |||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||||
Repetitive peak off-state voltage | V | <200 В | <200 В | <400 В | <400 В | <400 В | <400 В | <600 В | <600 В | <600 В | <600 В |
Напряжение отпирания | VGT | <800 мВ | |||||||||
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса | IT(AV) | <2.55 А | |||||||||
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии | IT(RMS) | <4 А | |||||||||
Ток отпирания | IGT | <200 мкА | |||||||||
Ток удержания | IH | <3 мА | |||||||||
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <20 А | |||||||||
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate | |||||||||