BT258

BT258, BT258-500R,127, BT258-600R,127, BT258-800R,127, BT258S-800LT,118, BT258S-800R,118, BT258U-600R,127, BT258X-500R,127, BT258X-600R,127, BT258X-800R,127

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBT258-500R,127BT258-600R,127BT258-800R,127BT258S-800LT,118BT258S-800R,118BT258U-600R,127BT258X-500R,127BT258X-600R,127BT258X-800R,127
Корпус микросхемы
Корпус
TO-220AB-3TO-220AB-3TO-220AB-3DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab)TO-220-3 Full PackTO-220-3 Full PackTO-220-3 Full Pack
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстияВ отверстияВ отверстияПоверхностныйПоверхностныйВ отверстияВ отверстияВ отверстияВ отверстия
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<500 В<600 В<800 В<800 В<800 В<600 В<500 В<600 В<800 В
Напряжение отпирания
VGT
<1.5 В
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса
IT(AV)
<5 А
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии
IT(RMS)
<8 А
Ток отпирания
IGT
<200 мкА<200 мкА<200 мкА<50 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА
Ток удержания
IH
<6 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<75 А
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<82 А
Тип тиристора
Тип
Sensitive Gate