BT169B,126

BT169, BT169B,126, BT169D/01,112, BT169D,112, BT169D,116, BT169D,126, BT169D-L,112, BT169G,112, BT169G,126, BT169H,412

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBT169B,126BT169D/01,112BT169D,112BT169D,116BT169D,126BT169D-L,112BT169G,112BT169G,126BT169H,412
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Repetitive peak off-state voltage
VDRM/VRRM
<200 В<400 В<400 В<400 В<400 В<400 В<600 В<600 В<800 В
Напряжение отпирания
VGT
<800 мВ
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса
IT(AV)
<500 мА
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии
IT(RMS)
<800 мА
Ток отпирания
IGT
<200 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<200 мкА<50 мкА<200 мкА<200 мкА<100 мкА
Ток удержания
IH
<5 мА<5 мА<5 мА<5 мА<5 мА<5 мА<5 мА<5 мА<3 мА
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц)
ITSM/50Hz
<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<8 А<9 А
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц)
ITSM/60Hz
<9 А<9 А<9 А<9 А<9 А<9 А<9 А<9 А<10 А
Тип тиристора
Тип
Sensitive Gate