На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BT168E,112 | BT168G,112 | BT168GW,115 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | ||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | В отверстия | Поверхностный |
Repetitive peak off-state voltage | V | <500 В | <600 В | <600 В |
Напряжение отпирания | VGT | <800 мВ | ||
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса | IT(AV) | <500 мА | <500 мА | <630 мА |
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии | IT(RMS) | <800 мА | <800 мА | <1 А |
Ток отпирания | IGT | <200 мкА | ||
Ток удержания | IH | <5 мА | ||
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц) | ITSM/50Hz | <8 А | ||
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <9 А | ||
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate | ||