На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BT150-500R,127 | BT150S-600R,118 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-220AB-3 | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | Поверхностный |
Repetitive peak off-state voltage | V | <500 В | <600 В |
Напряжение отпирания | VGT | <1.5 В | |
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса | IT(AV) | <2.5 А | |
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии | IT(RMS) | <4 А | |
Ток отпирания | IGT | <200 мкА | |
Ток удержания | IH | <6 мА | |
Максимальный однократный импульс тока длительностью 10мс (50 Гц) | ITSM/50Hz | <35 А | |
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <38 А | |
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate | |