На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | 2N5060G | 2N5060RLRA | 2N5060RLRAG | 2N5060RLRM | 2N5060RLRMG | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||
Repetitive peak off-state voltage | V | <30 В | ||||
Напряжение отпирания | VGT | <800 мВ | ||||
Максимальный средний ток в открытом состоянии при указанной температуре корпуса | IT(AV) | <510 мА | ||||
Максимальный среднеквадратичный ток в открытом состоянии | IT(RMS) | <800 мА | ||||
Ток отпирания | IGT | <200 мкА | ||||
Ток удержания | IH | <5 мА | ||||
Максимальный однократный импульс тока длительностью 8,3мс (60 Гц) | ITSM/60Hz | <10 А | ||||
Тип тиристора | Тип | Sensitive Gate | ||||