MWI75-06A7T

MWI75, MWI75-06A7, MWI75-06A7T, MWI75-12A8, MWI75-12A8T, MWI75-12E8, MWI75-12T7T, MWI75-12T8T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMWI75-06A7MWI75-06A7TMWI75-12A8MWI75-12A8TMWI75-12E8MWI75-12T7TMWI75-12T8T
Корпус микросхемы
Корпус
E2E2E3E3E2E3
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<90 А<90 А<125 А<125 А<130 А<110 А<110 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ
Мощность
P
<280 Вт<280 Вт<500 Вт<500 Вт<500 Вт<355 Вт<360 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.6 ВVge, Ic = 15V, 75A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 75A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 75A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 75A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 75A<2.15 ВVge, Ic = 15V, 75A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 75A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1.3 мА<1.3 мА<5 мА<5 мА<1.1 мА<4 мА<3 мА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter
Входная емкость IGBT
Cies
3.2 нФVce = 25V3.2 нФVce = 25V5.5 нФVce = 25V5.5 нФVce = 25V5.7 нФVce = 25V5.35 нФVce = 25V5.35 нФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
НетДаНетНетНетДаДа