На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MWI60-06G6K | MWI60-12T6K | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | E1 | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <60 А | <58 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <600 В | <1.2 кВ |
Мощность | P | <180 Вт | <200 Вт |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.8 ВVge, Ic = 15V, 30A | <2.3 ВVge, Ic = 15V, 35A |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <200 мкА | <500 мкА |
Тип сборки IGBT | Тип | Three Phase Inverter | |
Входная емкость IGBT | Cies | 2.5 нФVce = 25V | 2.53 нФVce = 25V |
Наличие NTC термистора | NTC | Да | |