MWI50-06A7

MWI50, MWI50-06A7, MWI50-06A7T, MWI50-12A7, MWI50-12A7T, MWI50-12E6K, MWI50-12E7, MWI50-12T7T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMWI50-06A7MWI50-06A7TMWI50-12A7MWI50-12A7TMWI50-12E6KMWI50-12E7MWI50-12T7T
Корпус микросхемы
Корпус
E2E2E2E2E1E2E2
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<72 А<72 А<85 А<85 А<51 А<90 А<80 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ
Мощность
P
<225 Вт<225 Вт<350 Вт<350 Вт<210 Вт<350 Вт<270 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.9 ВVge, Ic = 15V, 35A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.15 ВVge, Ic = 15V, 50A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<600 мкА<600 мкА<4 мА<4 мА<300 мкА<800 мкА<4 мА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter
Входная емкость IGBT
Cies
2.8 нФVce = 25V2.8 нФVce = 25V3.3 нФVce = 25V3.3 нФVce = 25V2 нФVce = 25V3.8 нФVce = 25V3.5 нФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
НетДаНетДаДаНетДа