MWI30-06A7T

MWI30, MWI30-06A7, MWI30-06A7T, MWI30-12E6K

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMWI30-06A7MWI30-06A7TMWI30-12E6K
Корпус микросхемы
Корпус
E2E2E1
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<45 А<45 А<29 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В<600 В<1.2 кВ
Мощность
P
<140 Вт<140 Вт<130 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 30A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 30A<2.9 ВVge, Ic = 15V, 20A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<600 мкА<600 мкА<1 мА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter
Входная емкость IGBT
Cies
1.6 нФVce = 25V1.6 нФVce = 25V1.18 нФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
НетДаДа