MWI150

MWI150, MWI150-06A8, MWI150-06A8T, MWI150-12T8T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMWI150-06A8MWI150-06A8TMWI150-12T8T
Корпус микросхемы
Корпус
E3
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<170 А<170 А<215 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В<600 В<1.2 кВ
Мощность
P
<515 Вт<515 Вт<690 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 150A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 150A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 150A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1.5 мА<1.5 мА<6 мА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter
Входная емкость IGBT
Cies
6.5 нФVce = 25V6.5 нФVce = 25V10.77 нФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
НетНетДа