MWI100

MWI100, MWI100-06A8, MWI100-06A8T, MWI100-12A8, MWI100-12A8T, MWI100-12E8, MWI100-12T8T

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMWI100-06A8MWI100-06A8TMWI100-12A8MWI100-12A8TMWI100-12E8MWI100-12T8T
Корпус микросхемы
Корпус
E3
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<130 А<130 А<160 А<160 А<165 А<145 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ
Мощность
P
<410 Вт<410 Вт<640 Вт<640 Вт<640 Вт<480 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A<2.1 ВVge, Ic = 15V, 100A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1.2 мА<1.2 мА<6.3 мА<6.3 мА<1.4 мА<4 мА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter
Входная емкость IGBT
Cies
4.3 нФVce = 25V4.3 нФVce = 25V6.5 нФVce = 25V6.5 нФVce = 25V7.4 нФVce = 25V7.21 нФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
НетНетНетНетНетДа