MUBW75

MUBW75, MUBW75-06A8, MUBW75-12T8, MUBW75-17T8

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMUBW75-06A8MUBW75-12T8MUBW75-17T8
Корпус микросхемы
Корпус
E3
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 А<110 А<113 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В<1.2 кВ<1.7 кВ
Мощность
P
<320 Вт<355 Вт<450 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Three Phase Bridge Rectifier
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 75A<2.15 ВVge, Ic = 15V, 75A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 75A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<1.4 мА<4 мА<800 мкА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter with Brake
Входная емкость IGBT
Cies
4.2 нФVce = 25V5.35 нФVce = 25V6.6 нФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
Да