MUBW50-06A8

MUBW50, MUBW50-06A7, MUBW50-06A8, MUBW50-12A8, MUBW50-12E8, MUBW50-12T8, MUBW50-17T8

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMUBW50-06A7MUBW50-06A8MUBW50-12A8MUBW50-12E8MUBW50-12T8MUBW50-17T8
Корпус микросхемы
Корпус
E2E3E3E3E3E3
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<75 А<75 А<85 А<90 А<80 А<74 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ<1.7 кВ
Мощность
P
<250 Вт<250 Вт<350 Вт<350 Вт<270 Вт<290 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Three Phase Bridge Rectifier
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.3 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.15 ВVge, Ic = 15V, 50A<2.4 ВVge, Ic = 15V, 50A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<800 мкА<800 мкА<3.7 мА<800 мкА<2.7 мА<400 мкА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter with Brake
Входная емкость IGBT
Cies
2.8 нФVce = 25V2.8 нФVce = 25V3.3 нФVce = 25V3.8 нФVce = 25V3.5 нФVce = 25V4.4 нФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
Да