MUBW30-12A6

MUBW30, MUBW30-06A7, MUBW30-12A6, MUBW30-12A6K, MUBW30-12E6K

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMUBW30-06A7MUBW30-12A6MUBW30-12A6KMUBW30-12E6K
Корпус микросхемы
Корпус
E2E1E1E1
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<50 А<31 А<30 А<30 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В<1.2 кВ<1.2 кВ<1.2 кВ
Мощность
P
<180 Вт<104 Вт<130 Вт<130 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Three Phase Bridge Rectifier
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.3 ВVge, Ic = 15V, 30A<2.6 ВVge, Ic = 15V, 15A<3.8 ВVge, Ic = 15V, 30A<3.6 ВVge, Ic = 15V, 30A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<600 мкА<1 мА<1 мА<1 мА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter with Brake
Входная емкость IGBT
Cies
1.6 нФVce = 25V1 нФVce = 25V1 нФVce = 25V1.18 нФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
Да