MUBW10-06A6K

MUBW10, MUBW10-06A6, MUBW10-06A6K, MUBW10-06A7, MUBW10-12A7

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMUBW10-06A6MUBW10-06A6KMUBW10-06A7MUBW10-12A7
Корпус микросхемы
Корпус
E1E1E2E2
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<11 А<11 А<20 А<20 А
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<600 В<600 В<600 В<1.2 кВ
Мощность
P
<45 Вт<50 Вт<85 Вт<105 Вт
Тип входа IGBT
Вход
Three Phase Bridge Rectifier
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.5 ВVge, Ic = 15V, 6A<3.3 ВVge, Ic = 15V, 10A<2.3 ВVge, Ic = 15V, 10A<2.7 ВVge, Ic = 15V, 10A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<20 мкА<65 мкА<600 мкА<600 мкА
Тип сборки IGBT
Тип
Three Phase Inverter with Brake
Входная емкость IGBT
Cies
435 пФVce = 25V220 пФVce = 25V600 пФVce = 25V600 пФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
Да