На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MKI100-12E8 | MKI100-12F8 | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | E3 | |
Производитель | Производитель | IXYS | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод | |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <165 А | <125 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <1.2 кВ | |
Мощность | P | <640 Вт | |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт | |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <2.5 ВVge, Ic = 15V, 100A | <3.9 ВVge, Ic = 15V, 100A |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <1.4 мА | <1.3 мА |
Тип сборки IGBT | Тип | Full Bridge Inverter | |
Входная емкость IGBT | Cies | 7.4 нФVce = 25V | 6.5 нФVce = 25V |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет | |