На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MIO600-65E11 | |
|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | E11 |
Производитель | Производитель | IXYS |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | На шасси/провод |
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <600 А |
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора | UCE | <6.5 кВ |
Тип входа IGBT | Вход | Стандарт |
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения | VCE(ON) | <4.2 ВVge, Ic = 15V, 600A |
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <120 мА |
Входная емкость IGBT | Cies | 150 нФVce = 25V |
Наличие NTC термистора | NTC | Нет |