MIO1800

MIO1800, MIO1800-17E10

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMIO1800-17E10
Корпус микросхемы
Корпус
E10
Производитель
Производитель
IXYS
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
На шасси/провод
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1.8 кА
Напряжение коллектор-эмиттер транзистора
UCE
<1.7 кВ
Тип входа IGBT
Вход
Стандарт
Напряжение коллектор-эмиттер, необходимое для включения
VCE(ON)
<2.6 ВVge, Ic = 15V, 1800A
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<120 мА
Входная емкость IGBT
Cies
166 нФVce = 25V
Наличие NTC термистора
NTC
Нет